铌酸锂和钽酸锂的等离子刻蚀

2013-07-30

铁电相铌酸锂和钽酸锂晶体被称作是功能材料中的“万能”材料.
非线性晶体材料铌酸锂(LiNbO3)由于其高速光电效应而用于平面光电整合电路。它允许制造非线性功能的器件如电光调制器或声光传感器,也被用作波导材料。
  钽酸锂(LiTaO3)晶体是一种重要的多功能晶体材料,该晶体具有优良的压电、铁电、声光及电光效应。因而成为声表面波(SAW)器件、光通讯、激光及光电子领域中的基本功能材料。
  由于结构尺寸的要求越来越高,各向异性刻蚀工艺越来越多的被应用。PTSA200感应耦合等离子刻蚀具备单独控制等离子密度和等离子能量的优越性而被用于铌酸锂和钽酸锂的刻蚀以获得低的等离子能量和高的各向异性性能。
  在Sentech最高端的等离子刻蚀机SI500上开发的各向异性氟基刻蚀工艺被用于刻蚀质子交换波导铌酸锂和钽酸锂(LiTaO3),使用铬做掩膜。

基本条件:
SI500 系统
PTSA 200 13.56MHz 天线
ICP模式
氟基化学掩膜:铬

铌酸锂的刻蚀参数:
刻蚀速度:大于30nm/min(质子交换LN)
选择比:(LiNbO3:Cr) > 10:1
均匀性:好于5%
各向异性良好,侧壁光滑
钽酸锂的刻蚀参数:
刻蚀速度:大于20nm/min
选择比:(LiTaO3:Cr) > 8:1
均匀性:好于5%
各向异性良好,侧壁光滑


附:SI500 ICP刻蚀机简介
SI500电感耦合等离子刻蚀系统,使用平板三螺旋天线PTSA,具有低损伤,高深宽比,高刻蚀速率,高各向异性。典型应用:III-V,II-VI族及SiGe量子线、光子晶体、SiC穿孔、Micro-optic、waveguide、MEMS、GaSb传感器、8英寸直径,对整片适用机械卡钳固定。
SI500电感耦合等离子刻蚀系统

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