东方集成受邀参加第十一届全国分子束外延学术会议

2015-08-31

北京东方中科集成科技股份有限公司受邀参加了2015年8月25日-28日在成都举办的第十一届全国分子束外延(MBE)学术会议本次会议由上海技术物理研究所红外国家重点实验室承办的。MBE技术的问世,使原子、分子数量级厚度的外延生长得以实现,开拓了能带工程这一新的半导体领域。分子束外延技术的发展,推动了以GaAs为主的III-V族半导体及其它多元多层异质材料的生长,大大地促进了新型微电子技术领域的发展,造就了GaAs IC、GeSi异质晶体管及其集成电路以及各种超晶格新型器件。特别是GaAs IC(以MESFET、HEMT、HBT以及以这些器件为主设计和制作的集成电路)和红外及其它光电器件,在军事应用中有着极其重要的意义。GaAs MIMIC(微波毫米波单片电路)和GaAs VHSIC(超高速集成电路)将在新型相控阵雷达、阵列化电子战设备、灵巧武器和超高速信号处理、军用计算机等方面起着重要的作用。



  东方集成作为国内领先的电子测试测量综合服务商,携Sentech,Tektronix,Keithley等国际知名厂商带来了最新的薄膜测试及等离子工艺设备(ICP,RIE,PECVD)半导体器件参数量化及测试系统。会议期间与来自国内外MBE 的专家们进行了热烈的交流和探讨!

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